高功率LED分析和总结.docx

高功率 GaN 基 LED 器件的研究现状与发展 1、引言 自从 1962 年美国通用电气公司的 Holonyak 博士发明了世界上第一支发光二极管(LED)[1]以来，使 LED 发出全部颜色可见光的努力就没有停止过。AlGaInP 材料制成的 LED 可以覆盖从红光（650nm）到黄光（580nm）的范围。1993 年，日本的 Nakamura 解决了 p 型 GaN 的掺杂问题，成功研制出了 GaN 基蓝光 LED，在此基础上采用 AlGaInN 制作的 LED 光谱覆盖了从近紫外（380nm）到绿光（530nm） 的范围[2]。现在，LED 覆盖了几乎所有可见光的范围。LED 得到了广泛的应用。 GaN 基 LED 器件的发展和主要应用 1993 年，Nichia 公司研发出第一个发光亮度超过 1cd 的高亮度 GaInN/AlGaN 异质结蓝光 LED 后[3]，随着金属有机气相沉积外延技术（MOCVD）的提高，高亮度高功率的 LED 产品相继被开发出来。LED 产品一共有两种，如图 1（a），（b）所示，一种是小管芯 LED，管芯功率在 0.06W 左右，芯片大 小 350μm×350μm ，另一种是大管芯 LED，管芯功率 1-3W，芯片大小 1mm×1mm。近些年，LED 的光效更是从 50~60lm/W，发展到了去年的小功率 LED 最高超过 170lm/W，大有