实际晶体中的位错行为.ppt

一、弯折的扩散滑移 1、弯折扩散滑移的概念 弯折扩散滑移是指在外力和热激活作用下弯折的定向漂移。 在外力作用下，弯折倾向于沿外力作用方向移动，从而产生定向漂移。 （这个外力很小，不足以使弯折产生一般意义上的滑移） 也就是说，弯折的移动和溶质原子或空位扩散机制是一样的，因此称为扩散滑移。 弯折可以看作是晶体中的微小组元（如同空位和间隙原子一样），它也在不停地进行着热运动，有向任何方向移动的趋势。 2、弯折扩散滑移的机制 这主要是指，应力较小时，位错线难于整体滑移；此时，却有可能在热激活作用下使弯折发生定向漂移，进而引起位错线的滑移。 “移动是热激活引起的，而定向是外力造成的”！ 第三节 扩散滑移与攀移机制 第三十页，共八十七页，2022年，8月28日 一、弯折的扩散滑移 3、扩散滑移行为的表征 已知： ＝？ 求：横向漂移速度 在热激活作用下可能引起弯折的定向漂移； 所受切应力 较小，尚不足以使弯折运动； 解：按照扩散理论，热力学力作用下，原子定向漂移速率为： （1）首先确定弯折的扩散系数 ： 所以，弯折在外力作用下的扩散滑移速度为： 若弯折运动的激活能为 时： 时，则作用在弯折上的力为： （2）若所施加的切应力为 在左螺型位错上有一个刃型弯折； a －原子跳动的距离。 －Debye频率； 在低温变形时，弯折起着非常重要的作用。 第三节 扩散滑移与攀移机制 第三十一页，共八十七页，2022年，8月28日 一、弯折的扩散滑移 3、弯折扩散滑移的意义 （1）当应力较低，不足以使整个位错线滑动时； 或当温度较低，不足以使位错发生攀移时； 位错运动可以通过弯折的扩散滑移来实现。 （2）扩散滑移属于扩散过程，是由原子的热振动引起的； 影响扩散过程的是扩散激活能，而不是P－N力； 对于扩散而言，密堆结构比非密堆结构中的扩散更难。 （3）弯折的侧向运动是沿着非密排方向，所需热激活能显著降低。 第三节 扩散滑移与攀移机制 第三十二页，共八十七页，2022年，8月28日 二、位错线的扩散攀移 Q1：扩散攀移的元过程： 刃型位错扩散攀移的元过程是点阵缺陷（空位或间隙原子）的发射或湮灭： (1) 吸收间隙原子或发射空位 产生负攀移； (2) 发射间隙原子或吸收空位 产生正攀移； 可见，刃型位错攀移时，要引起周围点阵缺陷数量的变化。 Q2：刃型位错周围点缺陷浓度发生变化对位错产生的影响： (1) 若刃型位错周围空位浓度大于平衡浓度时，位错会吸收空位 正攀移； (2) 若刃型位错周围空位浓度小于平衡浓度时，位错会发射空位 负攀移； 所以，这相当于空位浓度的变化会在位错上施加一个攀移力，称之为渗透力。 第三节 扩散滑移与攀移机制 第三十三页，共八十七页，2022年，8月28日 二、位错线的扩散攀移 1、渗透力概念： 刃型位错附近点缺陷的变化引起的一种攀移力。 2、渗透力产生的原因： 如果位错线附近空位浓度高于晶体中的空位浓度时， 空位会向位错线上迁移，以降低空位的浓度，从而使位错线发生攀移。 3、渗透力的表达式： 渗透力必然是组态力。 这就好像有一种力作用在位错线上，这种力我们称之为渗透力。 －原子的体积； C0－点缺陷的平衡浓度； C －位错线附近点缺陷的浓度。 第三节 扩散滑移与攀移机制 所以，晶体中刃型位错可能受到两个方向的攀移力： －外力正应力引起的攀移力。 或者写成矢量形式： 第三十四页，共八十七页，2022年，8月28日 由上述分析可知，位错扩散攀移速率由晶体内空位的体扩散速率所控制。 于是，可以用扩散理论来求刃型位错的攀移速率： －空位的体扩散系数： －原子自扩散系数； 所以，T↑ ↑↑ ↑； ↑↑ （1）在外力＋热激活作用下，诱发弯折定向漂移 引起整个位错滑移 扩散滑移； （2）在外力＋热激活作用下，诱发点缺陷定向扩散 位错运动与原子扩散的关系： 引起整个位错攀移 扩散攀移。 第三节 扩散滑移与攀移机制 二、位错线的扩散攀移 4、位错扩散攀移速率： 第三十五页，共八十七页，2022年，8月28日 三、割阶位错的攀移 总之，位错运动实质上是与原子扩散有一定关系的。说明位错运动存在热激活问题。这对于深入理解位错的运动行为与温度的关系很有意义。 在一般情况下，由于所受的作用力较大，往往忽略了热激活作用。 问题:带割阶位错的攀移速度应由什么来控制？ －原子的扩散系数；a－割阶移动的距离。 －割阶的浓度， ，它反映的是单位长度上割阶的数量； －割阶的形成能。 由此可以进一步求出位错攀移的速度： 应当是由空位的体扩散来控制。 用扩散理论求出割阶运动的速度为： 第三节 扩散滑移与攀移机制 第三十六页，