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- 2023-04-25 发布于四川
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公开了一种气隙型薄膜体声波谐振器(FBAR),包括:衬底,包括气隙部分,所述气隙部分具有衬底腔并且形成在顶部表面中;下电极,形成在所述衬底上方;压电层,形成在所述下电极上方;以及上电极,形成在所述压电层上方,并且其一侧的电极边缘被形成为与所述气隙部分的侧壁的垂直虚拟边界邻近。其中,所述压电层包括形成在所述电极边缘下方的压电腔。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114070250 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110301636.X
(22)申请日 2021.03.22
(30)优先权数据
10-2020-0
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