半导体结构、三维存储器及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体结构、三维存储器及其制造方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构、三维存储器及其制造方法，该制造方法包括：在衬底上形成第一堆叠层，第一堆叠层被划分为芯片区域和切割道区域；在芯片区域形成底部选择栅切口，并且在切割道区域形成多个零层标记的开口的第一部分；以及经由零层标记的开口的第一部分，在衬底中形成开口的第二部分，其中，开口的第一部分和第二部分贯通。本申请可通过同一掩膜版，在同一光刻工艺以及同一刻蚀工艺下形成底部选择栅切口和多个零层标记的开口，从而简化工艺步骤。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171522 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202111420062.4 H01L 23/544 (2006.01) (22)申请日