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晶体的电光效应 介质因电场作用而引起折射率变化的现象称为电光效应，介质折射率和电场的关系可表示为： n n aE bE 2 (1) 0 式中 n0是没有外加电场（E =0）时的折射率，a 和 b 是常数，其中电场一次项引起的变化称为线性电光效应，由Pokels于 1893 年发现，故也称为Pokels效应；由电场的二次项引 起的变化称为二次电光效应，由Kerr在 1875 年发现，也称Kerr效应，在无对称中心晶体中，一次效应比二次效应显著得多，所以通常讨论线性效应。尽管电场引起折射率的变化很小，但可用干涉等方法精确地显示和测定，而且它有很短的响应时间，所以利用电光效应制成的电光器件在激光通信、激光测距、激光显示、高速摄影、信息处理等许多方面具有广泛的应用。 [实验目的] 研究铌酸锂晶体的横向电光效应，观察锥光干涉图样，测量半波电压； 学习电光调制的原理和实验方法，掌握调试技能； 了解利用电光调制模拟音频光通信的一种实验方法； [实验原理] 晶体的电光效应  c c ( ) 1 按光的电磁理论，光在介质中传播的速度为 0 n 2 ， 为介电系数，是对 称的二阶张量，即 ，由此建立的 D 和 E 的关系为： ij ji D E （ i,j 1,2,3 ) (2) i ij j D E 1 11 E 1 12 E 2 13 3 即： D E E E 2 23 1 22 2 23 3 D E 3 31 E 1 32 E 2 33 3 在各向同性的介质中， 11 22 33 ，D 和 E 成简单的线性关系，光在这类介质中 -－ - － PAGE 1－ 以某一确定速度传播；但在各向异性的介质中，一般情况下各方向的折射率却不再相同， 所以各偏振态的光传播速度也不同，将呈现双折射现象。如果光在晶体中沿某方向传播时， 各个方向的偏振光折射率都相等，则该方向称为晶体的光轴。若晶体只含有一个这样的方 向，则称为单轴晶体。 通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系。在主轴坐标系中， 折射率椭球方程为： x2 y2 z2 1 (3) n2 n2 n2 1 2 3 式中x,y,z 的方向是介质的主轴，沿这些方向的D 、E 是相互平行的。n 为椭球三个主轴 i 方向的折射率，称为主折射率。折射率椭球的取向和形状将受到晶体对称性的制约，如单 轴晶体n n 1 2 n ， n o 3 n 为旋转椭球。以op 为光的波法 e 线，过原点 O 作一个和op 垂直的平面，和椭球相截得一椭圆， 其长短轴方向分别为沿op 传播的光的两个偏振方向，长短轴 的大小代表沿这两个方向振动的线偏振光的折射率n 和n (图 1 2 001)，它们的传播速度分别为c 和c 0 0 n n 1 2 。对晶体加电场后，折射 图 1.晶体的折射率椭球率椭球的形状，大小，方位等均发生变化，椭球方程变为： 图 1.晶体的折射率椭球 x2 y2 z2 2 y z 2 x z 2 x y 1 (4) n2 n2 n2 n2 11 22 33 21 n2 n2 13 12 式中交叉项由电场引起，表示变形后形成的新椭球主轴（感应主轴）和原先的主轴不重合。折射率和电场的关系可表示为： 1 1 E E E n2 n2 11 1 11 x 12 y 13 z 1 1 E E E n2 n2 22 2 21 x 22 y 23 z 1 1 E E E (5) n2 n2 22 2 21 x 22 y 23 z 1 1 E E E n2 n2 33 3 31 x 32 y 33 z EEE E E E 41 x 42 y 43 z E E E 51 x 52 y 53 z E E E 61 x 62 y 63 z n2 23 1 n2 13 1 n2 12 式中 （i=1,2,3,……，6 ij j=1,2,）3 称为晶体的电光系数，它是三阶张量,有 18 个分量，但 受晶体对称性的影响，分量个数将减少，如42m 晶类（ADP ，KDP 等）， 0 ， 41 52 0 ，其余都为 0，通常可由（5）式算出晶体在电场作用下折射率的变化值。下面以 63 铌酸锂（LiNbO ，简记作LN ）晶体为例讨论电光效应，实验中使用锗酸铋（Bi Ge O ， 3 简记作BGO ）电光效应原理相同。 LN 晶体的电光效应 4 3 12 LN 为三角晶系 3m 点群，负单轴晶体，n n 1 2 n ，n o 3 n ,折射率椭球为以 Z 为对 e 称轴的旋转椭球，垂直于Z 轴的截面为园。它的电光系数 ， ， 13 23 22 12 61 ， ，其余为零,代入(5)式得: 42 51 33 1 1 E E ， 1 1 E E n2 n2 22 y 13