晶体管的结构及性能特点有哪些.docxVIP

晶体管的结构及性能特点有哪些? 慧聪电子元器件商务网 慧聪电子元器件商务网 2003-07-11 17:20:46 （一）晶体管的结构特性 晶体管的结构 晶体管内部由两PN 结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C 或 c 表示），基极（用字母B 或 b 表示）和发射极（用字母E 或e 表示）。如图5-4 所示，晶体管的两个PN 结分别称为集电结（C、B 极之间）和发射结（B、E 极之间），发射结与集电结之间为基区。 根据结构不同，晶体管可分为PNP 型和NPN 型两类。在电路图形符号上可以看出两种类型晶体管的发射极箭头（代表集电极电流的方向）不同。PNP 型晶体管的发射极箭头朝内，NPN 型晶体管的发射极箭头朝外。 三极管各个电极的作用及电流分配 晶体管三个电极的电极的作用如下： 发射极（E 极）用来发射电子； 基极（B 极）用来控制E 极发射电子的数量； 集电极（C 极）用业收集电子。 晶体管的发射极电流IE 与基极电流IB、集电极电流IC 之间的关系如下：IE=IB+IC 晶体管的工作条件 晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大 能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。 晶体管的基本工作条件是发射结（B、E 极之间）要加上较低的正向电压（即正向偏置电压），集电结（B、C 极之间）要加上较高的反向电压（即反向偏置电压）。晶体管各极所加电压的极性见图 5-5。 晶体管发射结的正向偏置电压约等于PN 结电压，即硅管为 0.6~0.7V，锗管为 0.2~0.3V。集电结的反向偏置电压视具体型号而定。 晶体管的工作状态 晶体管有截止、导通和饱和三种状态。 在晶体管不具备工作条件时，它处截止状态，内阻很大，各极电流几乎为0。 当晶体管的发射结加下合适的正向偏置电压、集电结加上反向偏置电压时，晶体管导通，其 内阻变小，各电极均有工作电流产生（IE=IB+IC）。适当增大其发射结的正向偏置电压、使基极电流IB 增大时，集电极电流IC 和发射极电流IE 也会随之增大。 当晶体管发射结的正向偏置电压增大至一定值（硅管等于或略高于0.7V，锗管等于或略高于 0.3V0 时，晶体管将从导通放大状态进入饱和状态，此时集电极电流IC 将处于较大的恒定状态，且已不受基极电流IB 控制。晶体管的导通内阻很小（相当于开关被接通），集电极与发射极之间的电压低于发射结电压，集电结也由反偏状态变为正偏状态。 （二）高频晶体管 高频晶体管（指特征频率大于 30MHZ 的晶体管）可分为高频小功率晶体管和高频大功率晶体管。 常用的国产高频小功率晶体管有 3AG1~3AG4、3AG11~3AG14、3CG3、3CG14、3CG21、3CG9012、3CG9015、3DG6、3DG8、3DG12、3DG130、3DG9011、3DG9013、3DG9014、 3DG9043 等型号，部分国产高频小功率晶体管的主要参数见表5-1。 常用的进口高频小功率晶体管有 2N5551、2N5401、BC148、BC158、BC328、BC548、 BC558、9011~9015、S9011~S9015、TEC9011~TEC9015、2SA1015、2SC1815、2SA562、 2SC1959、2SA673、2SC1213 等型号。表 5-2 是各管的主要参数。 高频中、大功率晶体管 高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。 常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、 3DA87A~3DA87E、3DA88A~3DA88E、3DA93A~3DA93D、3DA151A~3DG151D、 3DA1~3DA5、3DA100~3DA108、3DA14A~3DA14D、3DA30A~3DA30D、 3DG152A~3DG152J、3CA1~3CA9 等型号。表 5-3 是各管的主要参数。 常用的进口高频中、大功率晶体管有 2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、 2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、 BD136 等型号，各管的主要参数见表 5-4。 （三）超高频晶体管 超高频晶体管也称微波晶体管，其频率特性一般高于500MHZ，主要用于电视、雷达、导航、通信等领域中处理微波波段（300MHZ 以上的频率）的信号。 国产超高频晶体管 常用的国产超高频晶体管有 3AG95、3CG15A~3CG15D、3D