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二、电子的准动量 功能原理: 当F与速度v垂直时,可由冲量定理证明在垂直于v 的方向上, 和外力F的分量也相等。 在平行于v的方向上, 和F的分量相等; 在外场中,电子所受的力为F,在dt时间内,外场对电子所做的功为 这是电子在外场作用下运动状态变化的基本公式,具有与经典力学中牛顿定律相似的形式。 —— 电子的准动量 晶体中的电子在碰撞过程中所贡献的动量为 。 Bloch电子 的行为类似于波长 为 的平面波,再由de Broglie关系得其具有 的动量。 三、电子的加速度和有效质量 晶体中电子准经典运动的基本关系式: { 由以上两式可直接导出在外力作用下电子的加速度。 1. 一维情况 引入电子的有效质量: 在周期场中电子的有效质量m*与k有关 E(k)取极小值, E(k)取极大值, 在能带底: 在能带顶: m*0; m*0 2. 三维情况 分量形式: ?=1, 2, 3 矩阵形式: 牛顿定律: 这里用二阶张量 代替了 能态密度和费米面 一、能态密度 1. 定义 能态密度: dS dk? kx ky E E+dE dZ:能量在E-E+dE两等能面间的能态数(考虑了电子自旋) 能态密度:能带中单位能量间隔内的电子能态数 dZ=2?(k)?(k空间中能量在E-E+dE两等能面间的体积) 2. 近自由电子的能态密度 对于自由电子: 能量为E的等能面是半径为 在球面上 的球面 在近自由电子情况下,周期场的影响主要表现在布里渊区边界附近,而离布里渊区边界较远处,周期场对电子运动的影响很小。 以简单立方晶体为例,考察第一布里渊区中等能面的一个二维截面。 在布里渊区边界面的内侧: 对自由电子:EP(0)=EQ(0) 考虑周期场的影响:EQ(0) EQ ,EP(0)?EP 在布里渊区边界面的外侧: 对自由电子:EN(0)=EM(0), 考虑周期场影响:EM(0) EM ,EN(0) ?EN, 考虑周期场影响后,在布里渊区边界面的内侧与外侧等能面均形成向外突出的凸面。 EP EQ EM EN P Q Q’ M’ M N 0 Gn 近自由电子的等能面 近自由电子的能态密度 EA kx ky A C N(E) E ECⅠ EBⅡ N(E) E ECⅠ EBⅡ 当ECⅠ EBⅡ时:有能隙(禁带) 当ECⅠ EBⅡ时:出现能带重叠 3. 紧束缚近似的能态密度 以简单立方晶格s带为例: 在k=0,即能带底附近,等能面近似为球面,随着E的增大,等能面明显偏离球面。 N(E) E0 E0–6J1 E0–2J1 E0+6J1 E0+2J1 E(Γ) E(X) E(M) E(R) 在?、X、M和R点处,??kE?=0,称为Van Hove奇点,这些点都是布里渊区中的高对称点。 二、费米面 讨论近自由电子的费米面结构: 对金属:EF0KBT,在T0时,只有费米面附近的少量电子受到热激发。 费米半径的相对变化: 在室温下: a. 费米面的构造步骤 按电子浓度求出相应的费米半径,并作出费米球(圆); 1. 近自由电子费米面的构造法 按照近自由电子作必要的修正。 将处在各个布里渊区中的费米球(圆)分块按倒格 矢平移到简约区中,来自第n个布里渊区的对应于第 n个能带,于是在简约区中得到对应于各个能带的费 米面图形; 根据晶体结构画出倒易空间中扩展的布里渊区图形; b. 修正的依据 电子的能量只在布里渊区边界附近偏离自由电子能 量,周期场的影响使等能面在布里渊区边界面附近发 生畸变,形成向外突出的凸包; 周期场的影响使费米面上的尖锐角圆滑化。 费米面所包围的总体积仅依赖于电子浓度,而不取决 于电子与晶格相互作用的细节; 等能面几乎总是与布里渊区边界面垂直相交; 证明在一般情况下,等能面与布里渊区边界面垂直相交: 在布里渊区边界面上: En(k)具有反演对称性: En(k)的平移对称性: 在布里渊区边界面附近: 沿布里渊区边界面的法线方向上, 如果沿一个边界面的法线方向上处处都有 那么,与该边界面相交的等能面必与此边界面垂直。 例:二维正方晶格近自由电子的费米面图形。 设二维晶格的晶格常数为a,晶体的原胞数为N, k的分布密度: 设平均每个原子有?个价电子,即电子浓度为?电子/原子。 对于简单晶格: 其中 为简约区的内切圆半径 电子浓度? kF/k1 1 0.798 2 1.128 3 1.382 4
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