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双极晶体管模型第1页/共44页第2页/共44页双极晶体管模型和模型参数第3页/共44页双极晶体管模型和模型参数一、概 述二、EM－1模型 (J. J. Ebers J. L. Moll)三、EM－2模型四、EM－3模型五、EM－1、EM－2和EM－3中的模型参数六、其他效应的考虑七、获取晶体管模型参数的基本方法 第4页/共44页双极晶体管模型和模型参数一、 概 述 (1) 电路中的有源器件用模型描述该器件的特性。不同的电路模拟软件中采用的模型不完全相同，模型参数的名称和个数也不尽相同。 (2) 晶体管模型实际上以等效电路的形式描述晶体管端电流和端电压之间的关系。电路模拟过程中，实际上是以等效电路代替晶体管器件，然后建立回路方程、计算求解。 (3) 电路模拟结果是否符合实际情况，主要取决于晶体管模型是否正确，特别是采用的模型参数是否真正代表实际器件的特性。 (4) 晶体管模型越精确，电路模拟效果越好，但是计算量也越大，因此应折衷考虑。这样，对同一种器件，往往提出几种模型。 (5) 学习中应该掌握模型参数的含义，特别应注意每个模型参数的作用特点，即在不同的电路特性分析中必需考虑考虑哪些模型参数。每个模型参数均有内定值。对于默认值为0或者无穷大的模型参数，如果采用内定值，相当于不考虑相应的效应。 (6) 如果采用模拟软件附带的模型参数库，当然不存在任何问题。如果采用模型参数库中未包括的器件，如何比较精确地确定该器件的模型参数将是影响电路模拟结果的关键问题。第5页/共44页PSpice模型参数库中的Q2N2222模型参数描述.model Q2N2222 NPN (Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 + Vaf=74.03 Bf=255.9 Ne=1.307 Ise=14.34f + Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 + Ikr=0 Rc=1 Cjc=7.306p Mjc=.3416 + Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 + Vje=.75 Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 + Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)第6页/共44页二、 EM－1模型 (J. J. Ebers J. L. Moll)1. 基本关系式(针对NPN晶体管) 若外加电压为： Vb’e’≠0, Vb’c’=0 流过b’e’的电流为： IF=IES[exp(qVb’e’/kt)-1] 则Ie= -IF , IC=αFIF (电流方向以流进电极为正) 若外加电压为： Vb’e’＝0, Vb’c’≠0 流过b’c’的电流为： IR=ICS[exp(qVb’c’/kt)-1] 则Ie=αRIR , IC= -IR 在一般情况下，Vb’e’≠0, Vb’c’≠0， 则得：Ie= -IF＋αRIR IC=αFIF - IR 这就是晶体管直流特性方程,包括αF、αR 、IES和ICS共4个参数。 由互易定理，αF IES＝αR ICS, 记为αF IES＝αR ICS ＝ IS (称为晶体管饱和电流)， 所以直流特性中只有3个独立参数。取3个模型参数为αF、αR 和IS。 第7页/共44页二、 EM－1模型 (J. J. Ebers J. L. Moll)2. 实用关系式 对上述方程进行下述处理，可以得到实用的直流特性模型。 记 αFIF＝αF IES[exp(qVb’e’/kt)-1] ＝IS[exp(qVb’e’/kt)-1]＝ICC CC：Collector Collected αRIR＝αR ICS[exp(qVb’c’/kt)-1] ＝IS[exp(qVb’c’/kt)-1]＝IEC EC：Emitter Collected 代入前面方程，得： Ie=-IF＋αRIR＝－ICC/αF+IEC =(-ICC/αF+ICC)-(ICC-IEC) =-ICC/βF-ICT(ICT＝ICC-IEC) IC= αFIF - IR= ICC- IEC/αR =(ICC- IEC)-(IEC/αR-IEC) =ICT-IEC/βR第8页/共44页2. 实用关系式 Ie=-ICC/βF-ICT IC=ICT-IEC/βR 这就是实用双极晶体管直流特性模型，共有3个模型参数：IS、βF和βR 这3个参数记为： IS(晶体管饱和电流) BF(正向电流放大系数) BR(反向电流放大系数)。 考虑到电流和电压的指数关系是exp(qVb’c’/NFkt)和exp(qVb’e’/NRkt) 则直流