电子科大《集成电路工艺》第十三章.pptVIP

* * ?? * 光刻的传统I线光刻胶是那些适用于I线紫外波长(365nm)的光刻胶，对应于关键尺寸在0.35μm以上的非关键层的光刻都适用，这种情况包括负胶和正胶，尽管正胶是最常用的。注意I线光刻胶的特性也同时代表了G线436nm和H线(405nm)波长所用的光刻胶的基本特性。 * 负胶的树脂通常是一种化学的惰性聚异戊气烯聚合物，这是一种天然橡胶。光刻胶的感光利是一种经过合适波长的紫外光曝光后释放出氮气的光敏剂，产生自由基在橡胶分子间形成交联。经紫外光曝光形成的交联橡胶变得不溶于显影液。同时，光刻胶未曝光的区域再在影液中被冲去。其优点是负胶曝光速度快，对硅片的粘附性好。缺点在于：显影时曝光区域容易由溶剂引起泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联。 1. 光刻胶树脂是悬浮在溶剂中的 2_曝光使光敏感光剂释放出氮气 3.释放出的氮气产生自由基 4。自山夔通过交联像胶聚合物‘不溶于显影液)使光刻胶聚 * 80000 70000 60000 50000 40000 30000 20000 10000 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 Spin Speed (RPM) Spin Speed Curve of IX300 Resist Thickness (?) 21 cP 110 cP 70 cP 13.5.5 胶