一种存储器的形成方法.pdfVIP

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2023-05-04 发布于北京
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一种存储器的形成方法.pdf

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本发明公开了一种存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极；在所述半导体衬底上淀积氧化物，形成位于所述半导体衬底上的氧阻挡层；在所述氧阻挡层上淀积金属材料，形成位于所述氧阻挡层上的前躯体；对所述前躯体表面进行移除处理，使得所述前躯体表面的自然氧化层被移除；对前躯体进行氧化处理，使得前躯体转换为功能材料层；对功能材料层进行退火处理；在所述功能材料层上形成上电极；图形化上电极、功能材料层和氧阻挡层，形成存储器，该方法因对前躯体进行氧化处理时使用的氧化性气体被隔离在氧阻

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114256415 A (43)申请公布日 2022.03.29 (21)申请号 202111535134.X (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人上海微阱电子科技有限公司