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晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件.pdf

    本发明公开一种晶体芯片混合金属化方法及晶体芯片和电子器件。本发明的晶体芯片的金属沉积与硅的粘附性好，形成接触时空洞少，能够使晶片与沉积金属的粘结机械强度高，晶片之间的焊层接触热阻小，从而使器件的热阻降低，二次击穿性能好，抗热疲劳循环次数高。另外，本发明的金属沉积后，与硅的欧姆接触好，串联电阻小。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300351 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111622524.0 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 青岛天银纺织科技有限公司

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