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光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置.pdf

    本申请实施例提供光电二极管器件、放射性探测器阵列、探测器及检测装置，涉及半导体技术领域，用于降低光电二极管在较宽光谱范围内的反射率。该光电二极管器件包括半导体衬底、光电二极管以及抗反射膜。半导体衬底具有第一表面。光电二极管设置于半导体衬底内，光电二极管具有裸露于第一表面的感光面。抗反射膜覆盖光电二极管的感光面。其中，抗反射膜包括依次层叠的第一抗反射层、第二抗反射层以及第三抗反射层。通过3层反射层相互配合，各反射层可分别设计相应的厚度和/或材料，因此，抗反射膜在设计上有更多的组合自由度。抗反射膜作

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300493 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111633730.1 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 杭州海康威视数字技术股份有限公

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