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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构的集成度和空间利用率较低的技术问题，该半导体结构包括：具有隔离设置的高压器件区和光敏结构区的衬底；设置在衬底的第一表面且位于高压器件区内的高压器件；设置在衬底的第二表面且位于光敏结构区的光敏结构，第二表面与第一表面相对设置，高压器件在衬底上的正投影与光敏结构在衬底上的正投影至少部分重合；位于光敏结构区的连接结构，连接结构的一端与光敏结构电连接，连接结构的另一端暴露于第一表面。通过将高压器件和光敏结构沿垂直于衬底的方向排布，并通过连接

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300490 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111645421.6 H01L 31/107 (2006.01) (22)申请日

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