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一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-05 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，提供衬底，衬底表面具有凸出的多个鳍部、覆盖鳍部底部侧壁的沟槽隔离结构以及覆盖浅沟槽隔离结构表面和鳍部表面的氮化硅层；刻蚀去除氮化硅层；淀积一层碳涂层，碳涂层覆盖浅沟槽隔离结构的表面；刻蚀去除位于浅沟槽隔离结构上方的鳍部；利用碳涂层剥除工艺去除碳涂层；利用湿法清洗工艺去除衬底表面残留的刻蚀物；在剩余的鳍部表面磊晶生长一磊晶结构。本发明通过增加碳涂层保护浅沟槽隔离结构，减小了浅沟槽隔离结构在刻蚀工艺中的损失，降低了栅极底部漏电和鳍侧边裸露造成磊晶缺陷问题产生的风

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300362 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111526136.2 (22)申请日 2021.12.14 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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