第七章-CCD光电图像传感器.pptVIP

七、 CCD光电图像传感器 3.特性参数 1. 转移效率，损耗率 6. 暗电流 4. 光谱响应特性 3. 光电转换特性 5. 分辨率 2. 工作频率 7. 动态范围 七、 CCD光电图像传感器 3.特性参数 转移效率和转移损失率 转移效率：当CCD中电荷包从一个势阱转移到另一个势阱时，若Q1为转移的电荷量，Q0为原始电荷 转移损失率ε：表示残留于原势阱中的电量Q与原电量Q0之比定义为转移损耗 若CCD有n个栅极板时， 则总转移效率为： 七、 CCD光电图像传感器 3.特性参数 工作频率 （a）工作频率的下限f下 电荷包在相邻两电极之间的转移时间t t＜τc 三相CCD： 二相CCD ： §7 CCD光电图像传感器 固体摄像器件的功能：把入射到传感器光敏面上按空间分布的光强信息（可见光、红外辐射等），转换为按时序串行输出的电信号—— 视频信号。其视频信号能再现入射的光辐射图像。 固体摄像器件 输出视频信号： －－摄像型光电成像器件 摄像头 应用差异： CCD低噪声、高分辨率、高灵敏度等高画质性能－－占据图像传感器高端市场； CMOS 高集成度、高速、小体积、低价格等特点－－占据低端市场大的份额。 固体摄像器件主要有三大类： 电荷耦合器件（Charge Coupled Device，即CCD） 互补金属氧化物半导体图像传感器（即CMOS） 电荷注入器件（Charge Injenction Device， 即CID） 目前，前两种用得比较多。 固体摄像器件 2048 × 2048 面阵CCD 5000像元线阵CCD 七、CCD光电图像传感器 由一系列排紧密的MOS（金属-氧化物-半导体)电容器组成称为电荷耦合器件（Charge Coupled Device, CCD）。 1、 CCD概念 以电荷作为信号，经过其产生、存储、转移和检测等过程，实现光图像变成电信号。 CCD阵列表面结构（放大1000倍） 七、CCD光电图像传感器 1、 CCD概念 2009年，科学家因博伊尔和乔治-E-史密斯因“发明了成像半导体电路——电荷耦合器件图像传感器CCD” 与高锟一同获得了当年的诺贝尔物理学奖。 七、 CCD光电图像传感器 历 史 CCD于1969年由美国贝尔实验室（Bell Labs）的维·博伊尔(Willard S. Boyle）和乔治·史密斯（George E. Smith）发明。 1、 CCD概念 七、CCD光电图像传感器 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 CCD结构 P MOS结构 单元－像素 基本单元：MOS电容器。 在半导体硅上氧化生成一层薄 (约0.1μm)的SiO2绝缘层，再镀上一层小面积金属作为电极，称栅极。 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 CCD结构 由多个像素组成线阵,金属栅极是分立的，氧化物与半导体是连续的。 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 当栅极施加正电压UG（此时UG≤Uth）时，在电场的作用下，电极下Ｐ型区域里的多数载流子空穴被排斥到衬底的底侧，硅表面处留下不能移动的带负电的粒子，产生耗尽区。 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 势阱的形成 UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层（沟道）。 深度耗尽状态 N型(P沟道） P型(N沟道） 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 势阱的形成 1）势阱的形成 势 阱 施加正电压 空穴耗尽区 栅极正向电压增加时，势阱变深。 －－改变UG，调节势阱深度 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 势阱的形成 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 电荷产生 当外界有光信号入射到MOS电容器的P型半导体内时，会产生电子-空穴对，光越强，电子-空穴对越多，产生信号电荷，光信号转换为电信号。 依靠半导体的光电特性，用光注入的办法产生。 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 电荷产生 电子 －－被吸入势阱 产生电子－空穴对 空穴 －－栅极电压排斥 光注入： 产生电子－空穴对 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 电荷存储 耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域，若注入电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。表面处构成了对 于电子的“陷阱”，称之为表面势阱，势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面势的大小近似与栅压VG成正比。 七、 CCD光电图像传感器 2、 CCD工作原理 电荷存储 MOS电容具有存