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- 2023-05-09 发布于四川
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本发明公开了一种在半导体功能区侧面制作电极的方法，属于半导体技术领域，用于解决器件占有晶圆面积大、晶圆利用率低的问题。所述方法包括：至少在半导体功能区曝露的部分侧面提供第一介质层，其中半导体功能区曝露的侧面包括第一区域以及第二区域，所述第一介质层被配置在所述第一区域的下方；提供第一电极层，其中所述第一电极层的厚度与所述第一区域的高度相同；提供光刻胶，其至少覆盖第一介质层上方的第一电极层；移除部分第一电极层，保留与所述第一区域对应的所述第一介质层上方的部分第一电极层作为第一电极；以及移除所述光刻胶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116072531 A
(43)申请公布日 2023.05.05
(21)申请号 202310206575.8
(22)申请日 2023.03.07
(71)申请人 徐州致能半导体有
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