一种用于多阱嵌套CMOS工艺版图级漏电自动检查方法.pdfVIP

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2023-05-10 发布于北京
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一种用于多阱嵌套CMOS工艺版图级漏电自动检查方法.pdf

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一种用于多阱嵌套CMOS工艺版图级漏电自动检查方法，通过对多阱嵌套CMOS工艺下阱间寄生产生机理，在传统CMOSBSIM3V3仿真四端口模型的基础上，增加阱间寄生效应建模的两端口，同时改进了成熟EDA设计检查规则，可实现对多阱嵌套工艺版图的阱间寄生效应进行自动排查，可有效对版图进行全局漏电识别，操作简便、自动化程度高、评测效率高，减少了因阱间漏电导致的再流片周期和成本损失，提高了评测可操作性和裸片可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114548026 A (43)申请公布日 2022.05.27 (21)申请号 202111404836.4 (22)申请日 2021.11.24 (71)申请人中国空间技术研究院地址 1001