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SGT-MOSFET半导体器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-10 发布于四川
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SGT-MOSFET半导体器件的制备方法.pdf

    本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件的制备方法，在第二沟槽区的侧壁和底部形成多晶硅层，所述多晶硅层包括位于所述第二沟槽区侧壁的第一介质层表面的侧壁多晶硅层，以及位于所述第一氧化层表面的底面多晶硅层，所述底面多晶硅层的厚度厚于所述侧壁多晶硅层的厚度；氧化所述侧壁多晶硅层和所述底面多晶硅层，直至所述侧壁多晶硅层全部氧化成初始第二氧化层，所述底面多晶硅层部分氧化成所述初始第二氧化层；去除所述初始第二氧化层以及位于所述第二沟槽区的侧壁的第一介质层，直至暴露出所述第一氧化层上的剩余的底面多晶硅层；

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520146 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202011302570.8 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 旭矽半导体（上海）

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