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- 2023-05-11 发布于四川
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本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：复合式重金属层以及设置于复合式重金属层之上的磁隧道结，其中，所述复合式金属层包括至少两层薄膜结构：第一重金属层结构以及第二重金属层结构，至少两层薄膜结构中的任一一层由β相结构材料得到。可见，将原重金属层的材料选取为β相结构材料，由于β相结构材料自身属性是具有较大的自旋霍尔角，可以使SOT‑MRAM具有较大的翻转效率，同时β相结构材料与具有相同自旋电导率的其它材料相比，具有更小的电阻率，可以减小器件运行过程中因
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114583046 A
(43)申请公布日 2022.06.03
(21)申请号 202210171412.6
(22)申请日 2022.02.24
(71)申请人 致真存储（北京）科
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