一种沟槽型MOSFET的气隙隔离结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-11 发布于四川
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一种沟槽型MOSFET的气隙隔离结构及其制造方法.pdf

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本申请公开了一种沟槽型MOSFET的气隙隔离结构及其制造方法，制造方法包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；在所述沟槽内形成支撑结构，以及所述支撑结构下方的气隙；在所述支撑结构上方形成栅极导体以及栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟槽的侧壁，将所述栅极导体与所述外延层隔离；以及形成位于所述外延层内部且与所述沟槽邻接的体区；其中，所述支撑结构对所述栅极导体进行支撑。本申请中，支撑结构对栅极导体进行支撑，气隙隔断了栅极导体的漏电通道。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116092943 A (43)申请公布日 2023.05.09 (21)申请号 202310201463.3 (22)申请日 2023.02.28 (71)申请人杭州芯迈半导体技