三极管的工作原理.pdfVIP

三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例(信 号从基极输入，从集电极输出，发射极接地)，当基极电压UB 有一个微小的变化 时，基极电流 IB 也会随之有一小的变化，受基极电流 IB 的控制，集电极电流IC 会有一个很大的变化，基极电流 IB 越大，集电极电流 IC 也越大，反之，基极电流 越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的 变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与 IB 变化 量之比叫做三极管的放大倍数 β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。)，三极管的放 大倍数 β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点， 也 建立偏置 ，否则会放大失真。 叫 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大:当 基极电压 UB 升高时，IB 变大，IC 也变大，IC 在集电极电阻 RC 的压降也越大，所 以三极管集电极电压UC 会降低，且 UB 越高，UC 就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考， 请参考有关书籍 三极管的工作原理 三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例(信 号从基极输入，从集电极输出，发射极接地)，当基极电压UB 有一个微小的变化 时，基极电流 IB 也会随之有一小的变化，受基极电流 IB 的控制，集电极电流IC 会有一个很大的变化，基极电流 IB 越大，集电极电流 IC 也越大，反之，基极电流 越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的 变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与 IB 变化 量之比叫做三极管的放大倍数 β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。)，三极管的放 大倍数 β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点， 也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻，可将电流放大转换成电压放大:当 基极电压 UB 升高时，IB 变大，IC 也变大，IC 在集电极电阻 RC 的压降也越大，所 以三极管集电极电压UC 会降低，且 UB 越高，UC 就越低，ΔUC=ΔUB。仅供参考， 请参考有关书籍。 半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电 流的半导体器件. 作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关. 晶体三极管 (以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有 NPN 和 PNP 两种结 构形式，但使用最多的是硅NPN 和 PNP 两种三极管，两者除了电源极性不同外，其 工作原理都是相同的，下面仅介绍 NPN 硅管的电流放大原理。 对于 NPN 管，它是由2 块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，发射区 与基区之间形成的 PN 结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN 结称为集电结,三条 引线分别称为发射极 e、基极 b 和集电极 c。 当 b 点电位高于 e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而 C 点电位高于 b 点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源 Ec 要高于基极电源 Ebo。 在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区 做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正 确，发射区的多数载流子 (电子)极基区的多数载流子 (空穴)很容易地越过发射结互 相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子 流，这股电子流称为发射极电流 Ie。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集 电区而形成集电集电流 Ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被 复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补给，从而形成了基极电流 Ibo.根据电流连 续性原理得: Ie=Ib+Ic 这就是说，在基极补充一个很小的 Ib，就可以在集电极上得到一个较大的 Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic 与 Ib 是维持一定的比例关系，即: β1=Ic/Ib 式中:β--称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量?Ic 与基极电流的变化量?Ib 之比为: β= ?Ic/?Ib 式中 β--称为交流电流放大倍数，由于低频时 β1和 β的