一种太阳能电池外延片及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

2
0
约9.66千字
约 10页
2023-05-15 发布于北京
举报
版权申诉

一种太阳能电池外延片及其制备方法.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种太阳能电池外延片及其制备方法，外延片包括从下至上依次设置的衬底、GaN成核层、GaN本征层、N型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、U型GaN层、InGaN/GaN量子阱层、P型GaN层。本发明采用了衬底、超晶格层和高In组分的InGaN/GaN量子阱层结构，降低了位错密度，提高了光吸收率，获得结晶质量较高的外延片。与具有传统外延片的太阳能电池相比，采用高In组分的外延片制得的太阳能电池载流子收集增多，表面复合减少，在一定程度上提高了InGaN/GaN太阳能电池的光电转换效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114709289 A (43)申请公布日 2022.07.05 (21)申请号 202210343816.9 H01L 31/0352 (2006.01)