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本申请涉及一种晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构的套刻方法，该对准方法包括：S1、将掩模版移动至晶圆上且掩模版和晶圆位于基于近场扫描光学显微镜原理的成像装置的扫描区域内，且用以与本步骤中的移动至晶圆上的掩模版对准的参考基准标记暴露；S2、利用扫描装置对扫描区域进行扫描，获取参考基准标记的第一位置数据和对准标记的第二位置数据；S3、对于每个第一位置数据，确定第一位置数据与第二位置数据之间的最小相对距离；S4、移动掩模版以使最小相对距离落于预设距离范围。该晶圆与掩模版的对准方法及纳米结构套刻方法能够实
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114740695 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210534344.5
(22)申请日 2022.05.17
(71)申请人 上海传芯半导体有限公司
地址 20
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