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第二章 有机半导体材料载流子迁移率测试方法
三、空间电荷（导致的）受限电流法（SCLC）
Space-Charge-Limited-Current
3.1、器件结构器件结构
器件结构器件结构：：
单层有机（发光）二极管，
并加上直流偏压。
有机半导体厚度：
几十纳米几十纳米～几百纳米几百纳米。
电极电极11 电极电极22
有机半导体
3.2、载流子的产生
载流子的产生载流子的产生 （（注入注入）：）：
1、Thermoionic or Schottky emission
热离子发射或肖特基发射
在低偏低偏压下占主导。
22 、Fowller–Nordhdheiim Tunneliling （（隧穿隧穿））
电极1 电极2
有机半导体 在高偏压下占主导。
载流子注入的种类载流子注入的种类：
由半导体的HOMO 、LUMO
及电极功函共同决定。
常常见电极的功电极的功函：
Au: 5.1 eV, ITO: 4.8, Al: 4.28,
Ag: 4.26, Mg: 3.66, Ca: 2.87, Ba: 2.7
典型聚合物的典型聚合物的HOMO 、LUMO ：
MEH-PPV ：HOMO 5.1, LUMO 2.8
PFO ：HOMO 5.8, LUMO 2.8
几种器件结构类型：
1） Au (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device
高势垒
LUMO 2.8 eV
电子注入存在高势垒
无空穴注入势垒
Au (+) 5.1 eV Au (-)
HOMO 5.1 eV
2 ） ITO (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device
高势垒高势垒
LUMOLUMO 22.88 eVV
低空穴注入势垒低空穴注入势垒 电子注入存在高势垒电子注入存在高势垒
ITO (+) 4.8 eV Au (-)
HOMO 5.1 eV
3 ） ITO (+)/MEH-PPV/Al (-) hole dominated device
高势垒高势垒
LUMOLUMO 22.88 eVV
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