半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的鳍部结构；在所述衬底上形成若干横跨所述鳍部结构的第一伪栅极；在所述衬底上形成介质层，所述介质层还位于所述第一伪栅极的侧壁上，所述介质层表面暴露出若干所述第一伪栅极顶面；在形成所述介质层后，去除若干所述第一伪栅极，在所述介质层内形成若干栅开口；在所述栅开口内形成第二伪栅极；形成栅隔离结构，并且，所述栅隔离结构在第一方向上贯穿至少1个第二伪栅极，所述第一方向垂直于所述第二伪栅极的延伸方向。从而，提高了半导体结构的性能和可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823334 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202110063830.9 (22)申请日 2021.01.18 (71)申请人中芯国际集成电路制