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一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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一种9T存算电路、乘累加运算电路、存内运算电路及芯片.pdf

    本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种读裕度增强型存储阵列，一种9T存算电路、一种乘累加运算电路、基于9Tsram的存内运算电路，以及基于9Tsram的CIM芯片。其中，9T存算电路包括基础的的6T存储单元和由额外的三个NMOS管N5、N6、N7构成计算单元；乘累加运算电路是在前述9T存算电路的基础上进一步设计得到的，乘累加运算电路根据功能划分大致包括计算阵列、电流镜电路、输入电路、电流监测阵列，以及输出电路。基于乘累加运算电路的新架构和传统的SRAM电路，本发明还提供一种基于9Tsram的存

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116126779 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310159746.6 (22)申请日 2023.02.21 (71)申请人 安徽大学 地址 230601

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