晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件.pdf

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本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；提供刚性支撑板；将Taiko环的端面与刚性支撑板紧密相连；将紧密相连的晶圆以及刚性支撑板进行化学镀处理；分离化学镀处理后的晶圆与刚性支撑板。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生；采用刚性支撑板与晶圆的Taiko环的端面进行粘接，有助于减小单面化学镀时晶圆的翘曲度，可

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899126 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210407375.4 (22)申请日 2022.04.19 (71)申请人绍兴中芯集成电路制