单片机第一章电力电子器件n.pptVIP

1.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT结合了二者的优点： 承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。 MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合(DATASHEET) * 第六十二页，共九十三页。 1.5.2 静电感应晶体管SIT 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 SIT（Static Induction Transistor）——结型场效应晶体管 * 第六十三页，共九十三页。 1.5.3 静电感应晶闸管SITH SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。 其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。 SITH（Static Induction Thyristor）——场控晶闸管（Field Controlled Thyristor—FCT） * 第六十四页，共九十三页。 1.5.4 集成门极换流晶闸管IGCT 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代