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模拟电子技术基础填空题及答案 模拟电子技术基础填空题及答案 1、在常温下，硅二极管的门槛电压约为0. 5V,导通后在较大电 流下 的正向压降约为0. 7V;错二极管的门槛电压约为_0. 1_V,导通 后在较大电 流下的正向压降约为_0. 2_Vo 2 、二极管的正向电阻小;反向电阻大。 3 、二极管的最主要特性是单向导电性。PN 结外加正向电压时，扩散 电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4 、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时,稳压 二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻。 5 、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中 研究 在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技 术，称为 模拟电子技术。 6 、PN 结反向偏置时，PY 结的内电场增强。PN 具有具有单向导电特 性。 7 、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变， 典型 值为0. 7 伏;其门坎电压Vth 约为0. 5 伏。 8 、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运 动形 成。 9 、P 型半导体的多子为空穴、N 型半导体的多子为自由电子、本 征 半导体的载流子为电子一空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴(P)半导体和电 子(N) 半导体两大类。 11、 二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反 映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。 12、 在常温下，硅二极管的开启电压约为0. 5V,导通后在较大 电 流下的正向压降约为0. 7Vo 13、 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变 化的稳态响应。 15、 N 型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 16、 按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分 为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。 17、 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和 旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。 18、 在XPN 三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它 参数不变，三极管的3 增加，贝IJIBQ 增大，ICQ 增大，UCEQ 减小。 19、 三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器 是一种采用直接耦合方式的放大电路。 20 、 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 Va=l. 2V, Vb=0. 5V, Vc=3. 6V,试问该三极管是硅管管（材料）,NPN 型的 三极管，该管的集电极是a 、b 、 中的C 。 21 、 己知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB 和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为10000 22 、 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。 某放大电路中的三极管，测得管脚电压V 沪-IV, Vb 二- 3. 2V, Vc=-3. 9V,这是硅管（硅、错），NPN 型，集电极管脚是a 。 23 、 三种不同耦合方式的.放大电路分别为：阻容 （RC ）耦合、直 接耦合和—变压器耦合」其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。 24 、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载，而前级的输 出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带 比其中每 一级的通频带要窄。 25 、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k Q 的负载电 阻后，输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kQ。 26、为了保证三极管工作在放大区，要求： ① 发射结正向偏置，集电结反向偏置。②对于NPN型三极管，应使 VBCOo 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和变压器耦 合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有 电压放大作用，共射组态有电流放大作用，共射和共集组态有倒相作用； 共集组态带负载能力强，共集组态向信号源索取的电流小,共基组态的频 率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是共集、共基、共射。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有直接耦合, 阻 容耦合，变压器耦合。 31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观 察 V0和VI的波