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- 2023-05-26 发布于四川
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本发明属于半导体材料制备领域，公开了一步合成铟基或镓基半导体材料的方法。该方法通过火焰合成法完成，包括：将铟源或镓源作为前驱体，用载气将前驱体的蒸汽带入燃烧器混合室中；将燃气和氧化性气体通入燃烧器混合室中，与前驱体的蒸汽混合形成预混气；预混气在燃烧器的上表面被点燃，形成平面火焰，预混气在平面火焰中反应形成铟基或镓基半导体材料。本发明的工序简单、耗时短、生产效率高，易于工业化大规模生产。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115974132 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211654356.8 C23C 16/34 (2006.01)
(22)申请日 2022.12.
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