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本发明公开了一种具有场限环结构的RESURFLDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱和深P阱，在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；在深N阱中设置N阱和PTOP区，漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面；PTOP区由P型条和P型场限环组成。该器件可以降低结表面曲率效应引起
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112349764 A
(43)申请公布日
2021.02.09
(21)申请号 20191
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