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2023-05-27 发布于四川
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改善顶层金属互联层表面缺陷的工艺方法.pdf

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本发明提供了一种改善顶层金属互联层表面缺陷的工艺方法，包括：在半导体器件的前道结构上形成顶层金属互联层，所述顶层金属互联层覆盖所述前道结构的表面并延伸至所述前道结构中；去除所述前道结构的表面覆盖的所述顶层金属互联层；在所述前道结构上形成第一薄膜，所述第一薄膜覆盖所述前道结构及所述顶层金属互联层；对所述半导体器件进行电性测试；在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第二薄膜的厚度大于所述第一薄膜的厚度，所述第二薄膜的应力值小于所述第一薄膜的应力值；在所述第二薄膜上形成第三薄膜，所述第三薄膜厚度与应力与所

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112309966 A (43)申请公布日 2021.02.02 (21)申请号 202011191791.2 (22)申请日 2020.10.30 (71)申请人上海华力微电子有限公司

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