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- 2023-05-29 发布于四川
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本发明提供了一种降低关断损耗的双控栅IGBT结构，该结构在常规沟槽栅IGBT结构的基础上，增加一个可控的副栅与一个假栅。在器件关断阶段，通过单独控制副栅的栅电压来关闭副栅周围的反型层沟道，阻止副栅附近P基区的载流子聚集，减少器件关断过程需要抽取的载流子数目，从而增加器件的关断速率，进而降低关断损耗。同时假栅的存在可以增强器件的短路耐受性，优化发射极侧的电场分布，使器件拥有更高的耐压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832032 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202211452405.X
(22)申请日 2022.11.21
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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