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一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片.pdf

    本申请属于半导体技术领域，提供了一种高耐压型氮化镓MOSFET器件、制备方法及芯片，通过在氮化镓漂移层与栅极绝缘层之间形成多个依次层叠设置的介质场板层，介质场板层与所述栅极绝缘层之间的距离与所述介质场板层的宽度呈反比例关系，且每层所述介质场板层内设有隔离金属层，使得长短不一的介质场板层和隔离金属层可以在与氮化镓漂移层之间的界面形成台阶尖角，从而在氮化镓漂移层内形成多个电场尖峰，以分担栅极绝缘层的尖角结构所造成的电场聚集，达到均匀化电场、降低栅极绝缘层承担的电场尖峰的目的，避免电场集中在栅极绝缘层

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115810659 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202211508297.3 H01L 21/28 (2006.01) (22)申请日 2022.11.

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