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- 2023-05-30 发布于四川
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提供了包括数据存储图案的半导体器件。所述半导体器件包括:下结构;包括栅极层和层间绝缘层并且具有开口的堆叠结构;位于所述开口中的垂直结构;位于所述垂直结构上的接触结构;以及位于所述接触结构上的导电线。所述垂直结构包括绝缘芯区域、覆盖所述绝缘芯区域的侧表面和下表面的沟道半导体层、位于所述沟道半导体层与所述栅极层之间并且彼此间隔开的数据存储图案、第一电介质层和第二电介质层。所述第一电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述栅极层之间,所述第二电介质层的至少一部分位于所述数据存储图案与所述沟道半导体
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466877 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010915102.1 H01L 27/1157 (2017.01)
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