一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种NAND FLASH存储器并行测试及坏块回写方法.pdf

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本发明公开了一种NANDFLASH存储器并行测试及坏块回写方法，该方法包括：读取多个存储器ID并将存储器ID与预设ID进行比较，判断每个存储器是否初步合格；判断初步合格的存储器中每一个LUN的第0块是否为非坏块；分别确定每一个存储器中每一个LUN的初始坏块数量；判断每一个第0块为非坏块的存储器是否为空片；识别出测试过程中新产生的坏块，分别确定为空片的存储器中每一个逻辑单元的新产生的坏块数量并按照预定规则对新产生的坏块进行回写；基于每一个LUN的初始坏块数量和新产生的坏块数量判断对应存储器是否合

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530508 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 20191