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本发明公开了一种焦平面倒装互连铟柱的制备方法，包括以下步骤：对准：将具有若干个通孔的蒸镀掩膜板与芯片进行对准并固定形成组件，所述芯片上的电极与各所述通孔对应并外露；蒸镀：在真空环境下，采用热蒸发镀膜的方式在所述组件表面蒸镀铟膜，当所述铟膜厚度达到预定厚度后停止蒸镀；剥离：将所述蒸镀掩膜板从所述芯片上取下，所述蒸镀掩膜板上的铟膜随掩膜板而剥离，所述通孔对应处所述电极上的铟柱得以保留，获得在电极上具有铟柱的芯片。这种焦平面倒装互连铟柱的制备方法避开了复杂的厚胶光刻工序，大大降低了铟柱制备的难度，且铟
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112490137 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011369154.X
(22)申请日 2020.11.30
(71)申请人 安徽光智科技有限公司
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