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半导体结构及其电容检测方法.pdfVIP

半导体结构及其电容检测方法.pdf

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    本发明涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：半导体衬底、掺杂阱、第一绝缘层、电容结构、导线、探针垫。掺杂阱与所述半导体衬底具有不同的掺杂形态，且形成于所述半导体衬底内，以使所述掺杂阱和所述半导体衬底在堆叠方向上形成PN结；电容结构形成于所述半导体衬底上，且位于所述掺杂阱以外位置；第一绝缘层设置于所述掺杂阱上；探针垫设置于所述第一绝缘层背离所述掺杂阱的一侧；导线连接于所述探针垫与所述电容结构的第一电极之间。本公开提供的半导体结构可以被准确、方便的测量电容结构的电容。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542518 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 20191

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