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低电容静电放电（ESD）器件.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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低电容静电放电（ESD）器件.pdf

    本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及低电容静电放电(ESD)器件及其制造方法。该结构包括：第一结构，其包括部分地延伸在第一阱之上的第一扩散区域、第二扩散区域和第三扩散区域的图案；以及第二结构，其包括在第二阱中的第四扩散区域，第四扩散区域电连接到第一结构以在衬底的体区域上形成可控硅整流器(SCR)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109285829 A (43)申请公布日 2019.01.29 (21)申请号 20171

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