一种改善金属层漏电流的测试方法.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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本发明提供一种改善金属层漏电流的测试方法,提供测试机台、SMU仪以及包含多个晶圆的一个lot;将lot中的其中一片晶圆置于测试机台的卡盘上;将SMU仪接到测试机台端,并且将SMU仪的Forceline端连接在卡盘的上表面;将SMU仪的Guardline端连接在卡盘的下表面;对晶圆中的多个金属层进行漏电流测试,收集所测试的金属层的漏电流数据;对lot中每片晶圆进行相应金属层漏电流的测试,收集lot中所有晶圆中所测试的相应金属层的漏电流数据;对比所测试的所有晶圆中相同金属层的漏电流数据。本发明采

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112701057 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202011561811.0 (22)申请日 2020.12.25 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司

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