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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法,其利用钝化掺质来钝化栅极介电层。利用例如浸泡法的工艺使钝化掺质穿过功函数层,导入至栅极介电质层中。钝化掺质为可帮助钝化电子捕捉缺陷(electricaltrappingdefects)的原子,例如为氟。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750774 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011180468.5
(22)申请日 2020.10.29
(30)优先权数据
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