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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开关于一种包括布置在基板上方的第一、第二和第三纳米片场效晶体管(NSFET)的集成电路芯片。第一NSFET有第一临界电压且包括嵌入在第一栅极电极层中的第一纳米片通道结构。第一纳米片通道结构从第一源极/漏极区延伸到第二源极/漏极区。第二NSFET有第二临界电压且包括嵌入在第二栅极电极层中的第二纳米片通道结构。第二纳米片通道结构从第三源极/漏极区延伸到第四源极/漏极区。第三NSFET有第三临界电压且包括嵌入在第三栅极电极层中的第三纳米片通道结构。第三纳米片通道结构从第五源极/漏极区延伸到第六源极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750823 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011195363.7
(22)申请日 2020.10.30
(30)优先权数据
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