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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及形成集成芯片的方法。该方法包括在衬底上方形成存储器器件以及在该存储器器件上方形成蚀刻停止层。层间介电(ILD)层形成在蚀刻停止层上方并且横向地围绕存储器器件。执行一个或多个图案化工艺以限定从ILD层的顶部延伸的第一沟槽以暴露蚀刻停止层的上表面。执行去除工艺以去除蚀刻停止层的暴露部分。在执行去除工艺之后，在互连沟槽内形成导电材料。本发明的实施例还涉及集成芯片。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750857 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011185795.X H01L 43/12 (2006.01)
(22)申请日 2
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