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场效应晶体管正式第1页/共48页 结型场效应三极管绝缘栅场效应三极管的工作原理场效应三极管的参数和型号双极型和场效应型三极管的比较场效应半导体三极管第2页/共48页 场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的的半导体器件。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 1.结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET）第3页/共48页 8.1 结型场效应三极管 (1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理则相同。JFET的结构如图01所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 图01 结型场效应三极管的结构第4页/共48页 (1-5)N基底 ：N型半导体PP两边是P区G(栅极)S源极D漏极结构导电沟道第5页/共48页 (1-6)NPPG(栅极)S源极D漏极N沟道结型场效应管DGSDGS第6页/共48页 (1-7)PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSDGS第7页/共48页 (2) 结型场效应三极管的工作原理 根据结型场效应三极管的结构，因它没有绝缘层，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 第8页/共48页 (1-9)工作原理（以P沟道为例）UDS=0V时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。第9页/共48页 (1-10)PGSDUDSUGSNNIDUDS=0V时NNUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。第10页/共48页 (1-11)PGSDUDSUGSNNUDS=0时UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。ID第11页/共48页 (1-12)PGSDUDSUGSUGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状NN越靠近漏端，PN结反压越大ID第12页/共48页 (1-13)PGSDUDSUGSUGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状NN沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。ID第13页/共48页 (1-14)GSDUDSUGSUGSVp UGD=VP时NN漏端的沟道被夹断，称为予夹断。UDS增大则被夹断区向下延伸。ID第14页/共48页 (1-15)GSDUDSUGSUGSVp UGD=VP时NN此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。ID第15页/共48页 ① 栅源电压对沟道的控制作用 当VGS=0时，在漏、源之间加有一定电压时，在漏、源间将形成多子的漂移运动，产生漏极电流。当VGS＜0时，PN结反偏，形成耗尽层，漏、源间的沟道将变窄，ID将减小，VGS继续减小，沟道继续变窄，ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS(off)。第16页/共48页 ② 漏源电压对沟道的控制作用 当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VGS(off)时，在紧靠漏极处出现预夹断，当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向生长延长。以上过程与绝缘栅场效应三极管的十分相似。 在栅极加上电压，且VGS＞VGS(off)，若漏源电压VDS从零开始增加，则VGD=VGS-VDS将随之减小。使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分，第17页/共48页 (3)结型场效应三极管的特性曲线 JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线，二是输出特性曲线。它与MOSFET的特性曲线基本相同，只不过MOSFET的栅压可正、可负，而结型场效应三极管的