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本发明公开的属于半导体电子信息技术领域,具体为一种大功率垂直结构紫外LED芯片的设计和制作方法,该大功率垂直结构紫外LED芯片的设计如下:采用蓝宝石衬底作为生长基底,进行异质外延生长,运用MOCVD技术来完成整个外延过程,蓝宝石衬底采用图像化衬底,即PSS衬底,本衬底采用特殊设计,为顶角120°三棱锥结构,可以极大程度的提升光的发射效率,以及特殊的表面纳米压印和双层图形化微纳处理,极大的提升紫外光LED的辐射功率和出光效率,改善电流扩散效率和芯片的散热能力,从而可以提升芯片的制作尺寸,有效的改善
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112786752 B
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202110162460.4 H01L 33/10 (2010.01)
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