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一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件.pdf

    本发明提供一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件。隧道磁电阻包括：钉扎层；与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层。隧道磁电阻中的自由层选用厚度小于或等于临界厚度的超顺磁层，在磁化过程中，组成超顺磁的单畴颗粒的磁矩能够沿同一方向取向而达到磁饱和，磁化率较高，因此，本发明提供的隧道磁电阻具有大的饱和场和大的线性度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768602 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011583511.2 H01L 43/02 (2006.01)

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