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半导体元件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体元件及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种半导体元件及其制作方法，半导体元件包括基板、多个阵列、多个导电结构以及衬垫层。基板包括阵列配置的阵列区以及导电结构配置的周边区。每个阵列包括多个导电柱。每个导电结构具有至少一个导电侧壁。衬垫层覆盖导电柱的上表面以及导电结构的上表面。导电结构的导电侧壁免于被衬垫层覆盖。这些导电柱具有多个朝着第一方向的第一侧壁，且这些导电柱在每个阵列中沿着第二方向排列，且第一方向与第二方向不同。衬垫层沿着基板延伸至这些导电柱以及这些导电结构。本发明的半导体元件及其制作方法可以在工艺中保护阵列以及导电

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802819 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 202010659995.8 (22)申请日 2020.07.10 (30)优先权数据 16/681,85

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