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背光控制方法、背光控制系统及存储介质.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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背光控制方法、背光控制系统及存储介质.pdf

    本发明提出一种背光控制方法、背光控制系统及存储介质，本发明背光控制方法能够在相同背光刷新率和背光灰阶前提下通过减小固定比特灰阶的等分子场的数量，进而增加每一等分子场的时间，进而栅极线开启的时间也可以相应增加，可解决负载延迟(RCloading)导致的每一等分子场充电时间不足问题；并且通过设置多种数据电压信号可以实现较高背光灰阶深度驱动。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112767887 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110086987.3 (22)申请日 2021.01.22 (71)申请人 TCL华星光电技术有限公司

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