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微电子工艺实验;第十章　微电子工艺实验;实验内容;工艺复习;10.1 热氧化工艺;热氧化工艺方法;氧化层应用;;场氧化（Field Oxide）;栅氧化（Gate Oxide）;缓冲氧化（Pad Oxide）;屏蔽氧化层（Screen Oxide）;掩蔽氧化层（Masking Oxide）;阻挡氧化层（Barrier Oxide）;牺牲氧化（Scrificial Oxide）;迪尔－格罗夫模型;B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数;影响氧化速率的因素;一块硅样品在1200℃下采用干氧氧化10分钟，再在1200 ℃采用湿氧氧化40分钟，再1200 ℃下干氧氧化30分钟，最终得到的氧化层有多厚？;二氧化硅厚度测试方法;台阶仪测量膜厚;椭偏仪测量厚度;干涉条纹测量厚度;颜色－厚度对照表;10.2 热扩散工艺;扩散炉示意图;扩　散　源;液态源扩散装置;液态源和气态源扩散流程;以三氯氧磷为杂质源，首先在硅片上反应形成磷硅玻璃，;以硼酸三甲酯为液态杂质源，首先B(CH3O)3在硅片表面分解，;固态源扩散装置;第33页/共55页;固态源有：氮化硼(BN)、五氧化二磷(P2O5)、三氧化二砷(As2O3)。通常将它们压成和硅片大小相似的片状。 扩散过程： 以氧化物的形式淀积到硅片表面； 然后与硅反应生成二氧化硅和杂质原子，同时向硅内部扩散。;掺杂流程;窗口刻蚀;第37页/共55页;除