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电子显微分析基础第1页/共43页 2昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9本部分内容电子束与样品的作用体积电子束照射样品产生的信号弹性散射与非弹性散射背散电子与二次电子第2页/共43页 3昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9原子序数对电子束作用体积的影响Fig3.10轻元素中穿透深，梨形重元素中穿透浅，球缺形第3页/共43页 4昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9入射电压对作用体积的影响Monte Carlo Simulation结果显示：宽度和深度随电压改变，形状不变 Jianna W 2007.04Fig3.810kv20kv30kv第4页/共43页 5昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子束与样品的作用体积Monte Carlo Simulation基本点： 每次运动平均自由程；用Bethe表达式计算能量损失；选取0~180随机散射角；直到电子能量耗尽后终止大量模拟数据时，可以得到作用体积平均Fig3.7a第5页/共43页 6昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9样品倾转对作用体积的作用Monte Carlo Simulation结果显示：入射电子束成锐角入射使作用区域靠近表面Fig3.9问题：对于表面有薄层的样品，采取什么措施可以使信号来自表面?表层厚度少于多少时信号会来自基底层？第6页/共43页 7昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子作用深度——KO公式-Kanaya-Okayama RangeA 原子量 g/molE 入射束能量 KeVZ 原子序数ρ 密度 g/cm3(um)电子在样品中的作用深度与电子的运动速度成正比，与样品的原子序数和密度成反比可以对已知样品中的作用深度估算第7页/共43页 8昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子作用深度——计算结果-Bethe Range(um)Kanaya-Okayama(um)Beam Energy (KeV)Beam Energy (KeV)Target51020305102030C0.612.17.5130.521.75.310.4Al0.521.86.012.40.411.34.28.2Cu0.210.692.34.60.140.461.52.9Au0.190.541.63.20.080.270.861.7第8页/共43页 9昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子束在样品中作用深度的计算电子在样品中经历多次的非弹性散射，把能量转移给样品用散射截面可以有效地描述非弹性散射，但是单个散射截面不可测量采用能量损失速率(average rate of energy lose)可以从宏观上反映非弹性散射从物理原理上用Beth公式计算电子作用深度KO公式是经验公式第9页/共43页 10昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9Bethe 公式dEds= - 2πe4N0lnZρAEm1.66Em JlnZρAEm1.66Em J= - 7.85x104e 电子电荷 N0 阿伏加德罗常数 Z 原子序数ρ 密度 Em 电子平均能量 s 距离A 原子量 J 平均电离能第10页/共43页 11昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子作用深度——Bethe 公式R=∫0E0 1dE/dsdE-R= J2A7.85x104ρEEI(2loge1.166Ei J）EI(2loge1.166E0 J）[—]积分后：Bethe距离在计算中忽略弹性散射，估计值偏大其中 EI（x）= 0.5772+loge(x)+Xnnn!∞∑n=1第11页/共43页 12昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9本部分内容电子束与样品的作用体积电子束照射样品产生的信号弹性散射与非弹性散射背散电子与二次电子第12页/共43页 13昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9电子束与样品之间的作用信号示意图吸收电子入射电子阴极荧光背散电子X射线二次电子俄歇电子透射电子第13页/共43页 14昆明理工大学材料学院 王剑华 2012.9弹性散射弹性散射：是入射电子与样品原子核的相互作用的结果。电子的能量没有变化。包括背散电子和透射电子的大部分第14页/共43页 15昆明理工大学材料学院